半導體激光器的核心技術之一是散熱技術，因為通常半導體激光器的尺寸很小，工作時熱流密度極高，如果不能及時散熱，會使結點溫度升高，將極大地影響其閾值功率、斜效率，輸出功率、波長和平均壽命等參數，甚至徹底損壞激光器。熱沉是半導體激光器熱量傳遞時的容器，屬於散熱技術的關鍵核心部件，熱沉的散熱能力決定瞭半導體激光器的性能和壽命。[1]
SiC的導熱系數是490W/(MK)，比AlN等導熱系數高很多，因而米格實驗室創新性的將SiC制備成用於激光器散熱的熱沉。圖一展示瞭本公司研制的SiC熱沉。SiC熱沉尺寸3mm * 6mm * 0.5mm，兩面各鍍瞭厚度為1μm的Ti/Au層，如圖二所示。
圖一 SiC熱沉圖片
圖二 SiC熱沉產品示意圖 a.截面 b.表面
★ SiC的一些性質 ★
參考文獻：
[1]范嗣強，大功率半導體激光器熱沉技術的研究現狀
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